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HLD系列立式磁控鍍膜生產線

HLD系列立式磁控鍍膜生產線

  • 所屬分類:立式磁控鍍膜生產(chan)線
  • 瀏覽次數:
  • 發布日期:2021-01-19 15:33:04
  • 產品概述
  • 性能特點
  • 技術參數

★該立式磁控鍍膜生產線可鍍的工藝膜系有:金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不銹鋼膜等單質膜和氧化膜、復合膜、增透膜、增亮膜、光學膜、ITO導電膜、EMI屏蔽膜等等。設備能生產的產品有銀鏡、鋁鏡、彩色玻璃、工藝玻璃、光伏玻璃、光電玻璃、ITO導電玻璃、非導玻璃等,以及PC、PVC、PET等材料表面鍍AR、AF、ITO、非(fei)導等膜和(he)金屬單質膜等工(gong)藝。設備主(zhu)要(yao)應用在手機鏡片和(he)手機后蓋鍍(du)膜、電(dian)子、電(dian)器(qi)、軍(jun)工(gong)、家電(dian)、五金、玩(wan)具、汽車(che)、建筑、建材(cai)、燈飾、裝飾等眾多行業領域。本設備的優點:抽速快及穩定、產量高、特殊的傳動結構運行平穩不卡頓(吸收進口設備精華)。高真空部分可根據客戶實際需要全選擇油擴散泵或分子泵,或兩者搭配使用;設計有防返油機構,減少對產品的污染;使用國內或國外知名品牌真空泵機組,加上人性化結構設計理念和智能控制及顯示系統,使設備盡善盡美。

HLD系列立式磁控鍍膜生產線

★工藝氣體:氬氣、氧氣、氮氣等,具體看生產的產品(pin)而定。

★靶材材質:金(jin)、銀、銅、鋁(lv)、鈦(tai)、鋯、硅(gui)、鎳(nie)、鉻、錫、銦(yin)、鈮、不銹(xiu)鋼等或錫銦(yin)、硅(gui)鋁(lv)、鎳(nie)鉻等合金(jin)。

磁控濺射電源:直流電源、中頻電源、射頻電源、離子轟擊電源、離子源電源(按客戶需要而定)

★該(gai)立式(shi)磁控鍍膜(mo)生產(chan)線的結構:有3室(shi)4鎖、5室(shi)4鎖、5室(shi)6鎖、7室(shi)6鎖、9室(shi)8鎖。

上片平(ping)移臺(上片)-----前粗抽室(進片室、帶轟擊、粗抽真空泵機組)-----前高真空室(精抽真空泵機組)-----前過渡室-----鍍膜室1、2、3(鍍膜室的個數按工藝而定,精抽真空泵機組、磁控(kong)濺射陰(yin)極靶、氣體系統(tong)-----后過渡室-----后高真空室(精抽真空泵機組)-----后粗抽室(粗抽真空泵機組)-----下片平移臺(下片臺)-----回流架1、2、3------連接到上片平移臺(如此循環工作)。

HLD系列立式磁控鍍膜生產線

★該立式磁控鍍膜生(sheng)產線的工作流(liu)程:現以7室6鎖(suo)為例(li)。

在上片平移(yi)臺處的工件架小車上掛上或貼上基片-----放氣數秒并開真空鎖1,工件架小車進入到前粗抽室后關真空鎖1并抽真空、轟擊(有時需要充入氬氣)----當抽到真空度后打開真空鎖2后工件架進入前高真空室后關真空鎖2繼續抽高真空-----達到一定真空后開鎖3并進入前過渡后關真空鎖3、工件架慢速進入鍍膜室1、2、3進行磁控濺射鍍(du)膜工(gong)作(鍍(du)膜真空度在2×10-1Pa左右,按工藝而定)-----鍍膜結束后工走到過渡室-----開真空鎖4并進入后高真空室關真空鎖4后停留一定時間后-----開真空鎖5并進入后粗抽室后關真空鎖5、放氣數秒后開真空鎖6-----工件架進入到下片平移臺并下片臺-----下片結束后平移到回流架1,工件架從回流架1、2、3------最后送回到上片平移臺回架處-----平移臺平移到前粗抽室前真空鎖1前面停留等待上片(如此循環工作)。

HLD系列立式磁控鍍膜生產線

★磁(ci)(ci)(ci)(ci)控濺射(she)工(gong)作(zuo)(zuo)原(yuan)理:電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)電(dian)場的(de)作(zuo)(zuo)用(yong)(yong)下加速(su)飛(fei)(fei)向(xiang)(xiang)基(ji)片(pian)(pian)的(de)過(guo)程(cheng)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)與氬(ya)(ya)(氧、氮等(deng))原(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)發生碰撞,電(dian)離(li)(li)(li)出大量(liang)(liang)的(de)氬(ya)(ya)(氧、氮等(deng))離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)和電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi),電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)飛(fei)(fei)向(xiang)(xiang)基(ji)片(pian)(pian)。氬(ya)(ya)離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)電(dian)場的(de)作(zuo)(zuo)用(yong)(yong)下加速(su)轟擊靶(ba)(ba)(ba)材(cai),濺射(she)出大量(liang)(liang)的(de)靶(ba)(ba)(ba)材(cai)原(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi),呈中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)性的(de)靶(ba)(ba)(ba)原(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)(或(huo)分子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi))沉積在(zai)(zai)基(ji)片(pian)(pian)上(shang)形(xing)成膜層。二(er)次(ci)電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)加速(su)飛(fei)(fei)向(xiang)(xiang)基(ji)片(pian)(pian)的(de)過(guo)程(cheng)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)受到(dao)磁(ci)(ci)(ci)(ci)場磁(ci)(ci)(ci)(ci)力(li)(li)的(de)作(zuo)(zuo)用(yong)(yong)下,被束縛(fu)在(zai)(zai)靠(kao)近靶(ba)(ba)(ba)面(mian)(mian)的(de)等(deng)離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體區域(yu)內,該區域(yu)內等(deng)離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體密度很高(gao),二(er)次(ci)電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)在(zai)(zai)磁(ci)(ci)(ci)(ci)場的(de)作(zuo)(zuo)用(yong)(yong)下圍繞靶(ba)(ba)(ba)面(mian)(mian)作(zuo)(zuo)圓周運(yun)(yun)動,該電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)運(yun)(yun)動路(lu)徑很長,在(zai)(zai)運(yun)(yun)動過(guo)程(cheng)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)不(bu)斷的(de)與氬(ya)(ya)原(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)發生碰撞電(dian)離(li)(li)(li)出大量(liang)(liang)的(de)氬(ya)(ya)離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)轟擊靶(ba)(ba)(ba)材(cai),經過(guo)多(duo)次(ci)碰撞后電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)能(neng)量(liang)(liang)逐漸(jian)降低,擺(bai)脫磁(ci)(ci)(ci)(ci)力(li)(li)線的(de)束縛(fu),遠離(li)(li)(li)靶(ba)(ba)(ba)材(cai),最終沉積在(zai)(zai)基(ji)片(pian)(pian)上(shang)。磁(ci)(ci)(ci)(ci)控濺射(she)就(jiu)是以(yi)磁(ci)(ci)(ci)(ci)場束縛(fu)和延長電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)運(yun)(yun)動路(lu)徑,改變電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)運(yun)(yun)動方向(xiang)(xiang),提高(gao)工(gong)作(zuo)(zuo)氣(qi)體的(de)電(dian)離(li)(li)(li)率(lv)和有效(xiao)利用(yong)(yong)電(dian)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)的(de)能(neng)量(liang)(liang)。磁(ci)(ci)(ci)(ci)控濺射(she)的(de)基(ji)本原(yuan)理是利用(yong)(yong) Ar一(yi)02或(huo)N2混(hun)合氣(qi)體中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)的(de)等(deng)離(li)(li)(li)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)體在(zai)(zai)電(dian)場和交變磁(ci)(ci)(ci)(ci)場的(de)作(zuo)(zuo)用(yong)(yong)下,被加速(su)的(de)高(gao)能(neng)粒子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)轟擊靶(ba)(ba)(ba)材(cai)表面(mian)(mian),能(neng)量(liang)(liang)交換后,靶(ba)(ba)(ba)材(cai)表面(mian)(mian)的(de)原(yuan)子(zi)(zi)(zi)(zi)(zi)脫離(li)(li)(li)原(yuan)晶格(ge)而(er)逸出,轉移到(dao)基(ji)體表面(mian)(mian)而(er)成膜。

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