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臥式磁控鍍彩膜生產線

臥式磁控鍍彩膜生產線

  • 所屬分類:磁(ci)控(kong)鍍彩(cai)膜(mo)生產(chan)線
  • 瀏覽次數:
  • 發布日期:2021-01-27 17:31:31
  • 產品概述
  • 性能特點
  • 技術參數

臥式磁控鍍膜生產線設備簡介

 

★該臥式磁控鍍膜生產線可鍍的工藝膜系有:金膜、銀膜、鋁膜、鈦金膜、不銹鋼膜等單質膜和氧化膜、復合膜、增透膜、增亮膜、光學膜、ITO導電膜、EMI屏蔽膜等(deng)等(deng)。設備能生產的產品有銀鏡、鋁鏡、彩色(se)玻(bo)(bo)璃、工藝玻(bo)(bo)璃、光(guang)伏玻(bo)(bo)璃、光(guang)電玻(bo)(bo)璃、ITO導電玻(bo)璃、非導玻(bo)璃等,以及PCPVCPET等材料表面(mian)鍍ARAFITO非導(dao)等膜和金屬單質膜等工藝(yi)。設備主要應(ying)用在手(shou)(shou)機鏡(jing)片和手(shou)(shou)機后蓋(gai)鍍膜、電子、電器、軍工、家電、五金、玩具、汽車、建筑、建材、燈飾、裝飾等眾多行業領域。本設備的優點:抽速快及穩定、產量高、特殊的傳動結構運行平穩不卡頓(吸收進口設備精華)。高真空部分可根據客戶實際需要全選擇油擴散泵或分子泵,或兩者搭配使用;設計有防返油機構,減少對產品的污染;使用國內或國外知名品牌真空泵機組,加上人性化結構設計理念和智能控制及顯示系統,使設備盡善盡美。

 磁控鍍彩膜生產線

★工(gong)藝氣(qi)體:氣(qi)、氧(yang)氣(qi)、氮氣(qi)等,具體(ti)看生產的(de)產品而(er)定。

★靶材材質:金、銀、銅(tong)、鋁、鈦、鋯、硅(gui)、鎳(nie)、鉻、錫、銦、鈮、不銹鋼(gang)等或錫銦、硅(gui)鋁、鎳(nie)鉻等合金。

磁控濺射電(dian)源(yuan)(yuan):直流電(dian)源(yuan)(yuan)、中(zhong)頻電(dian)源(yuan)(yuan)、射頻電(dian)源(yuan)(yuan)、離(li)子(zi)轟擊電(dian)源(yuan)(yuan)、離(li)子(zi)源(yuan)(yuan)電(dian)源(yuan)(yuan)(按客(ke)戶(hu)需要而定)

★該立式磁控鍍膜生產線的結構:有34鎖、54鎖(suo)、56鎖、76鎖、98鎖。

進片平(ping)臺-----前粗(cu)抽室(shi)(進片(pian)室(shi),粗(cu)抽真空泵機組)-----前高真空室(精抽真空泵機組(zu))-----前過渡室-----鍍(du)膜(mo)室123(鍍(du)膜室的個數(shu)按(an)工藝而定(ding),精抽真空泵機組、磁控濺射(she)陰極靶(ba)、氣體系統-----后過渡室-----后高真空(kong)室(精(jing)抽真空(kong)泵機組(zu))-----后粗抽室(shi)(粗抽真空泵機組)-----出片平臺(如(ru)此(ci)循環工作)。

 磁控鍍彩膜生產線

★該立式磁控鍍膜生產線的工作流程:有34鎖、56鎖、76鎖、98鎖,現以76鎖為(wei)例。

玻璃從清洗機出來進入進片平臺-----前粗抽(chou)室放氣數秒并開真(zhen)空鎖(suo)1,玻璃進(jin)入前粗抽(chou)室(shi)到(dao)位后關(guan)真空鎖1并抽(chou)真空(kong)(如(ru)有轟(hong)擊(ji)開(kai)轟(hong)擊(ji),有時需要充入(ru)氬氣)-----打開真空鎖(suo)2后玻璃進入前高真空室(shi)后關真空鎖2繼續抽(chou)高真空-----達到一定真空后開鎖3并進入前過渡后關真空鎖3、工件(jian)架慢速進入鍍(du)膜室123進行(xing)磁控濺射(she)鍍(du)膜工(gong)作(鍍(du)膜真空度在(zai)2×10-1Pa左右(you),按工(gong)藝(yi)而定)-----鍍膜(mo)結束(shu)后到玻璃走(zou)到過(guo)渡(du)室-----開真空鎖(suo)4并進入后高真空室(shi)關真空鎖4后停留一定時間后-----開真(zhen)空鎖(suo)5并進入后粗(cu)抽室后關真(zhen)空鎖(suo)5、放氣數秒后開(kai)真空鎖6-----玻璃走到(dao)出片(pian)臺后關閉真空(kong)鎖6-----直接下(xia)片或走到下(xia)一個(ge)工(gong)序(如此循環(huan)工(gong)作)。

 磁控鍍彩膜生產線

磁(ci)控(kong)濺射工作原理:電子在電場的作用下加速(su)飛向基片(pian)的過(guo)程中與氬(ya)(氧、氮(dan)等)原子發生碰撞,電離出大(da)量的氬(氧、氮等)離子(zi)(zi)和電子(zi)(zi),電子(zi)(zi)飛向基片(pian)。氬(ya)離子(zi)(zi)在(zai)電場的作用下加速(su)轟(hong)擊靶(ba)材,濺射(she)出(chu)大量(liang)的靶(ba)材原(yuan)子(zi)(zi),呈中(zhong)性(xing)的靶(ba)原(yuan)子(zi)(zi)(或分子(zi)(zi))沉積(ji)在(zai)基片(pian)上形(xing)成膜。二次(ci)電子在加(jia)速飛向基(ji)片(pian)的過(guo)程中(zhong)受到磁場(chang)磁力的作(zuo)用下(xia),被束縛(fu)在(zai)靠近靶(ba)面的等離子(zi)體區(qu)域內,該(gai)區(qu)域內等離子(zi)體密度很高,二(er)次(ci)電(dian)(dian)子(zi)在(zai)磁場的作(zuo)用(yong)下(xia)圍(wei)繞靶(ba)面作(zuo)圓周運(yun)動(dong)(dong)(dong),該(gai)電(dian)(dian)子(zi)的運(yun)動(dong)(dong)(dong)路徑很長(chang),在(zai)運(yun)動(dong)(dong)(dong)過程中不斷的與氬(ya)原子(zi)發(fa)生碰撞電(dian)(dian)離出大(da)量的氬(ya)離子(zi)轟擊靶(ba)材(cai),經過多次(ci)碰撞后電(dian)(dian)子(zi)的能(neng)量逐漸降低(di),擺(bai)脫磁力線的束縛(fu),遠離靶(ba)材(cai),最終沉積在(zai)基片上(shang)。磁控(kong)濺(jian)射就是(shi)以磁場束縛(fu)和延(yan)長(chang)電(dian)(dian)子(zi)的運(yun)動(dong)(dong)(dong)路徑,改變電(dian)(dian)子(zi)的運(yun)動(dong)(dong)(dong)方向,提高工作(zuo)氣體的電(dian)(dian)離率和有(you)效利用(yong)電(dian)(dian)子(zi)的能(neng)量。磁控(kong)濺(jian)射的基本原理是(shi)利用(yong) Ar02N2混合氣體(ti)中的(de)(de)(de)(de)等(deng)離子(zi)(zi)體(ti)在電(dian)場和交變磁(ci)場的(de)(de)(de)(de)作用下(xia),被加(jia)速的(de)(de)(de)(de)高能粒子(zi)(zi)轟(hong)擊靶材表(biao)(biao)面(mian),能量交換后,靶材表(biao)(biao)面(mian)的(de)(de)(de)(de)原子(zi)(zi)脫離原晶格(ge)而逸出,轉移到基(ji)體(ti)表(biao)(biao)面(mian)而成(cheng)膜。



磁控鍍彩膜生產線




      




鍍彩膜產品4_調整大小.JPG



磁控鍍彩膜生產線



  



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